國家存儲器基地
來源：原創文章
發布時間：2022-03-16
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項目簡介：
國家存儲器基地作為我國半導體產業的核心戰略項目，由行業領軍企業長江存儲傾力打造，集尖端芯片設計、先進工藝研發、智能化晶圓制造與測試、全球化銷售服務于一體，構建了完整的存儲器產業生態鏈。基地規劃建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房及配套研發中心，核心廠區占地1717畝，全面建成后將實現月產能30萬片晶圓，預計年產值超千億規模，彰顯中國"芯"實力。楚冠信息有幸為這一國家戰略項目（一、二期）提供了逾4000個高安全門禁節點，以軍工級安防標準保障基地穩定運行。
